產品分類
SiC高溫氧化爐
所屬分類：
氧化/擴散/退火
半導體工藝設備
SiC高溫氧化爐
概要：
專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝，可實現(xiàn)晶圓片高溫真空環(huán)境下完成氧化工藝。可使用O2,N2O，NO，NO2或濕法氧化，采用無金屬加熱和真空裝備。 適用工藝：氧化
關鍵詞：
SiC高溫氧化爐
SiC高溫氧化爐
產品概述/Product Introduction：
專用于SiC晶圓的高溫氧化工藝，可實現(xiàn)晶圓片高溫真空環(huán)境下完成氧化工藝。可使用O2,N2O，NO，NO2或濕法氧化，采用無金屬加熱和真空裝備。
A high-temperature oxidation process specifically designed for SiC wafers, capable of completing the oxidation process in a high-temperature vacuum environment. O2, N2O, NO, NO2 or wet oxidation can be used, using non-metallic heating and vacuum equipment.
適用工藝：氧化
Applicable process: oxidation
技術指標/Technical Indicators：
♦ 晶片尺寸：6-8英寸 Wafer size: 6-8 inches
♦ 制程溫度范圍: 800-1600°C Process temperature range: 800-1600°C
♦ 批次片數(shù): 50-75片 Batch capacity: 50-75 pcs
產品特點/ Product characteristics：
♦ 采用立式結構、工藝控制好、溫度分布均勻、氣流穩(wěn)定
The vertical structure is adopted, the process is well controlled, the temperature distribution is uniform, and the airflow is stable
♦Robot自動傳送
Robot Auto Transfer (Optional)
♦ 多點控溫，溫度均勻
Multi-point temperature control, uniform temperature
♦ 具有多種報警功能及安全保護功能
Has various alarm functions and safety protection functions
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